KYOKU IHOU（曲伟峰），日本籍，1996年获工学博士学位。曾任日本学术振兴会145委员会委员，于2022年回国，2022-2023年 清华大学卓越访问教授，2023年- 清华大学长聘教授，讲席教授。
曾就职于日本信越半导体株式会社半导体磯部研究所，任首席研究员、研究室室长、AW研究开发会部会长，并在该研究所工作25年，致力于半导体材料及工艺的研究开发工作。截至2000年，在领域内顶级期刊发表学术论文37篇，至今为止授权国际发明专利140多项。在先进制程用半导体材料方面的多项成果属世界首创，并具备极高的科研成果转化能力，实现了同类材料在世界市场的超高占比，是日本硅材料领域第二代领军人物。
主要研究方向：硅以及超宽禁带半导体材料的物性和制造工艺研究。
主要研究成果：国际上率先量产了掺氮硅退火材料（材料名称：IG-NANA），该材料广泛应用于逻辑电路、存储器、汽车用集成电路、功率集成电路，支持工艺制程至5nm，该产品约占硅退火材料全球市场的三分之一。
自主研发了碳离子注入外延硅材料，解决了固态图像器件的“White Spot”国际难题。
主持研制开发了适用于多层结构DRAM、NAND用RTA（Rapid thermal annealing）处理硅片，该型RTA硅片约占全球市场的一半。
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